二维材料在近些年来得到了蓬勃发展，特高停电但是目前石墨烯以及过渡金属二硫化物这些只有1和3原子厚的二维材料就被用于实现一些早先制备较为困难的异质结，特高停电并表现出较为优异的物理特性。
压直圆满(b)Au/CH3NH3PbI3−xClx/FTO存储器件的I-V特性。得益于对这些开关机制的深入理解，流线路以及通过合理的分子设计和更清晰的结构-性能关系发现了新型功能材料，流线路有机电阻开关存储器在小分子、聚合物、高分子生物材料和碳纳米材料的多种选择方面取得了快速进展。
然而，地线在新千年到来后不久，器件尺寸发展受阻。【图文导读】1.柔性电阻开关存储器的设计原理图1.各种开关机构的示意图2.有机小分子开关材料图2.2TPA-BIP、融冰(b)TPA-BIP和(c)TPA-2bp的结构与特性(a)2TPA-BIP、融冰(b)TPA-BIP和(c)TPA-2bp的化学结构和I-V特性。这不仅可以克服量纲缩小过程中的量子不确定性和泄露问题，试验还可以通过多级切换甚至电导量化，试验作为通用存储器，用超快、超高密度和非易失性存储取代整个存储器层级。
【成果简介】大数据和物联网时代数字通信的爆炸性增长推动了通用存储器的发展，完成该存储器可以高速运行，完成具有高密度和非易失性存储能力，并为可穿戴应用展示了卓越的机械灵活性。在过去的半个世纪里，特高停电基于有机和杂化材料的新兴电子和光电子器件迅速发展，极大地改善了全世界人类的日常生活。
从左到右:GO和GO-PTh样品分别在70℃下24小时、压直圆满12小时、4小时制备，在50℃下和室温下24小时制备。
2016年，流线路有18年历史的国际半导体技术路线图(ITRS)首次更名为国际器件和系统路线图(IRDS)，流线路希望将工业注意力从性能导向的创新转变为以应用为中心的革命。分散在溶剂中的无机前驱体由于溶剂的极性作用，地线优先分布在BBCP中分子链形成的反应舱室中，地线因此高浓度的聚集驱动了无机材料的成核以及无机纳米棒的生长。
通过改性气相沉积，融冰在连续的气相沉积过程，融冰温度浮动期间加以反向气流，可以冷却存在的2D晶体以防止不需要的热降解和不可控的均相成核，因此能实现高度稳健的逐块外延生长。然而，试验目前剥离制备单层薄片的方法存在着成本高昂，难以稳定剥离二维晶体结构等弊病，亟需引入新型制备方法改善现有剥离工艺。
完成而要挖掘它们更多应用潜力则需要找到一个能精确控制其化学成分和电子结构的可靠的合成方法。这些负载的双金属纳米颗粒在乙炔选择性加氢中显示出增强的催化性能，特高停电这清楚地表明了组成金属之间的协同效应(Science,2018,DOI:10.1126/science.aau4414)。